近年來(lái)，許多電視發(fā)射臺(tái)已完成全固態(tài)發(fā)相繼開發(fā)出橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體硅場(chǎng)效應(yīng)斷其好壞。電阻法是維射機(jī)替代電子管發(fā)射機(jī)的更新?lián)Q代工作。全固管（LDMOS），經(jīng)UHF電視發(fā)射機(jī)使用證實(shí)，其修工作的常用方法，只態(tài)發(fā)射機(jī)的廣泛使用，給發(fā)射設(shè)備的檢修與維線性和效率優(yōu)于雙極性晶體管、MOSFET管，特要根據(jù)檢測(cè)原理靈活運(yùn)護(hù)提出了新的要求。對(duì)發(fā)射機(jī)固態(tài)功率放大模塊的故障和維護(hù)作一介紹，供同行在實(shí)際操作與維護(hù)工作中參考。

    1.固態(tài)功放的結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)

    與真空管放大器比較，固態(tài)放大器具有穩(wěn)定性好、可靠性高、壽命長(zhǎng)、能耗低、維護(hù)便利等優(yōu)點(diǎn)。固態(tài)高功率放大器通常由輸入單元、輸出單元、功放模塊、微處理器監(jiān)控系統(tǒng)、電源組件和冷卻系統(tǒng)等電路構(gòu)成。功率放大器的主要部件“功放模塊”則由多個(gè)LDMOS或VDMOS場(chǎng)效應(yīng)管并聯(lián)組成，該類場(chǎng)效應(yīng)管采用橫向或縱向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體技術(shù)，屬電壓控制器件，熱穩(wěn)定性好，但熱傳導(dǎo)性差，擊穿電壓較低，因此輸出功率受到一定的限制，使用中為了獲得較大輸出功率，通常采用功率合成技術(shù)，由多個(gè)功放管進(jìn)行功率合成達(dá)到所需輸出功率，其中個(gè)別功放管的損壞，輸出功率會(huì)減少，但不影響放大器繼續(xù)工作。

     衡量一個(gè)高功率放大器的性能，主要有線性、非線性、增益、效率和可靠性等指標(biāo)。其中非線性指標(biāo)變差將產(chǎn)生載波頻率的諧波，導(dǎo)致信道內(nèi)外出現(xiàn)互調(diào)干擾，引起信號(hào)畸變，因此，提高固態(tài)功放的線性指標(biāo)尤為重要。固態(tài)功放中采用的晶體管通常有三種形式，即雙極性晶體管、MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管和LDMOS場(chǎng)效應(yīng)管。雙極性晶體管技術(shù)相對(duì)成熟，但溫度穩(wěn)定性差，難以承受數(shù)字電視廣播的高線性要求。MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管具有負(fù)溫度系數(shù)特性，無(wú)須另加溫補(bǔ)電路。但易引發(fā)載波寄生相位調(diào)制。為求得效率和線性的平衡，晶體管通常工作在AB類，其非線性失真是不可避免的。近年來(lái)，飛利浦等公司相繼開發(fā)出橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體硅廠效應(yīng)管（LDMOS），經(jīng)UHF電視發(fā)射機(jī)使用證實(shí)，其線性和效率優(yōu)于雙極性晶體管、MOSFET管，特別適合數(shù)字電視放大。即使工作在AB類，其性能仍接近A類放大特性，        由于LDMOS場(chǎng)效應(yīng)管的的優(yōu)異性能，使其成為UHF波段新型固態(tài)發(fā)射的。VHF波段功放單元功放管一般采用BLF861A與BLF278的VDMOS場(chǎng)效應(yīng)管BLF278，UHF波段功放單元采用橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體硅場(chǎng)效應(yīng)管（LDMOS）BLF861A。

     2.MOS管的更換方法和注意事項(xiàng)

     由于MOS型場(chǎng)效應(yīng)管制造工藝中絕緣層很薄，所以柵極和襯底易感應(yīng)電荷，由柵極、絕緣層和襯底組成的電容器容量很小，感應(yīng)電荷將在絕緣層上產(chǎn)生很高的電壓，易導(dǎo)致場(chǎng)效應(yīng)管絕緣層被擊穿，以致?lián)p壞管子。所以在使用、保存、更換MOS管時(shí)必須采取防靜電措施。因?yàn)榇蠊β蔒OS管目前仍是一種較昂貴的器件，每只管子的價(jià)格在一干元左右，因此，掌握大功率場(chǎng)效應(yīng)管的維護(hù)和更換，避免場(chǎng)效應(yīng)管的人為損壞，對(duì)縮短維修時(shí)間，降低維護(hù)成本都有積極、現(xiàn)實(shí)的意義。

    操作規(guī)程如下：

   （1）在焊接MOS管時(shí)必須在防靜電工作臺(tái)上進(jìn)行，操作人員應(yīng)通過(guò)接地將自身靜電放掉并帶橡膠手套或佩戴接地的金屬手環(huán)c

   （2）手拿MOS管時(shí)不得接觸MOS管的極片，應(yīng)拿MOS管的陶瓷部分c

   （3）焊接MOS管的烙鐵一定要接地，如無(wú)良好接地，可以拔掉烙鐵電源插頭后進(jìn)行焊接。

   （4）拆卸MOS管時(shí)、先拆除固定螺釘，再用50W接地烙鐵或吸錫器吸掉極片周圍的焊錫，烙鐵與管極的接觸時(shí)間每次應(yīng)小于10s。

   （5）拆卸和安裝時(shí)管腳的焊接順序：拆卸時(shí)，按先D（漏）極再G（柵）極后S（源）極順序焊開，安裝時(shí)，按先S極再G極后D極順序焊接。

   （6）安裝MOS管前先用干酒精棉球擦干凈安裝面。在MOS管的法蘭底面加上薄薄一層導(dǎo)熱硅脂，以改善散熱效果。導(dǎo)熱硅脂不能多，多了反而會(huì)降低散熱效果。管子放平整后，安裝緊固螺釘。

   （7）場(chǎng)效應(yīng)管更換焊接完成后，再用三用表測(cè)量管子的CD和CS極間電阻，確認(rèn)功放模塊上的兩對(duì)管子各極間阻值彼此接近，數(shù)值正常。MOS管更換后，試機(jī)時(shí)要逐漸加大功率，直至正常。

     3.大功率場(chǎng)效應(yīng)管好壞的判定

    （1）在沒(méi)有專用檢測(cè)儀器的情況下，準(zhǔn)確判定較為困難，但可測(cè)其各極對(duì)地電阻與正常值比較來(lái)做大致的判斷，上機(jī)后再用電壓法做進(jìn)一步的判斷，就比較準(zhǔn)確了。如果測(cè)試可疑組件管腳對(duì)地電阻時(shí)，差值明顯，可將該器件拆下來(lái)檢查判斷其好壞。電阻法是維修工作的常用方法，只要根據(jù)檢測(cè)原理靈活運(yùn)用，許多故障是可以通過(guò)這種方式來(lái)判定清楚的。

   （2）用F500－B型萬(wàn)用表測(cè)量電阻時(shí)，黑表筆接源極S（地），紅表筆分別接各管腳，三用表置于R×10擋，表2列出BLF861A與BLF278管的參考值。

   （3）值得指出的是：BLF861A的漏極1與漏極2之間本身是短路的。不要誤以為它們之間短路就認(rèn)為管子已經(jīng)損壞了。BLF278的漏極1與漏極2之間是開路的，它們之間短路了，則表明管子內(nèi)部已經(jīng)存在問(wèn)題。通常情況下，用三用表測(cè)試場(chǎng)效應(yīng)管的柵極與源極之間的電阻為o時(shí)，該管的O－S（柵源極問(wèn)）極問(wèn)內(nèi)部已擊穿。

  （4）電流法就是用測(cè)量取樣電阻兩端的電壓，計(jì)算出該電流通路中的電流，舉例說(shuō)明如下。圖3是BLF861功率放大器的供電電路。在靜態(tài)工作狀態(tài)下，用三用表測(cè)量R4兩端的電壓為V4.則該只功放管的靜態(tài)電流IDS＝V4／R4。同理，動(dòng)態(tài)工作時(shí)iDS＝V4／R4，通常iDS的電流為5～8A。正常工作時(shí)VD和VC電壓正常。M兩端無(wú)電壓，說(shuō)明該管已損壞，或取樣電阻R4已燒壞。

      4.功放模塊的故障檢修

    （1）對(duì)功放模塊進(jìn)行靜態(tài)檢查時(shí)，應(yīng)用原配型號(hào)規(guī)格的電源供電，連線關(guān)系一定不要搞錯(cuò)，否則，會(huì)造成功率管的損壞。在輸出端口應(yīng)接上一個(gè)50W／50Ω的負(fù)載，以防止功率放大器自激振蕩，損壞功放管。

    （2）末級(jí)功放管型號(hào)為：BLF86l，其漏極工作電壓YD＝32V，柵極對(duì)地電壓VD＝4.6～5.3Y，靜態(tài)工作電流I＝600～1000mA，取樣電阻（0.05Ω）兩端電壓應(yīng)在lO～60mV左右。

    （3）末級(jí)功放管型號(hào)為：BLF278，其漏極工作電壓YD＝48Y，柵極對(duì)地電壓YD＝2.6～3.2Y，靜態(tài)工作電流I＝150～400mA，取樣電阻（0.1Ω）兩端電壓應(yīng)在15～40mV左右。